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특허법

KAIST가 삼성전자와 퀄컴, 글로벌파운드리에게 핀펫 반도체기술에 관하여 텍사스법원에 특허소송제기

KAIST(한국과학기술원)가 보유한 특허를 관리하는 자회사인 KAIST IP 미국 지사는 삼성전자와 퀄컴, 글로벌파운드리에게 특허 사용료를 지불하라는 내용의 소송을 29일(현지시각) 미국 텍사스연방법원에 제기했다. 

KAIST IP 미국 지사가 침해 받았다고 주장하는 것은 이종호 현 서울대 교수가 개발한 핀펫(FinFet) 기술이다. 핀펫 기술은 인텔과 삼성전자 등이 도입하고 있는 3차원(3D) 입체 구조의 칩 설계 및 공정 기술이다. 이 기술은 기존 평면 구조보다 반도체 성능을 한 단계 발전시킬 기술로 꼽히고 있다. 입체적으로 튀어나온 모양이 상어 지느러미(Fin)처럼 생겨 이름이 핀펫이다. 


▲KAIST가 삼성전자를 상대로 미국 법원에 특허침해소송을 제기했다. / 조선일보 DB

KAIST IP는 삼성전자가 KAIST와 이종호 교수가 공동으로 개발한 핀펫 기술을 무단으로 사용하고 있다고 주장한다. KAIST IP는 "인텔이 핀펫 기술 사용권을 얻어 자체적으로 제품을 생산하자 삼성전자가 사용료를 지불하지 않고 핀펫 기술을 복제했다"고 주장했다. 

KAIST는 지식재산권 관리를 위해 12년 KAIST IP를 세웠으며 이번 소송을 위해 미국 법인을 세웠다. 삼성전자 미국 법인은 이번 소송에 대한 입장을 내놓지 않았다.

위 기사와 관련된 다른 기사는 5년전에 있었습니다. 아래를 참고 바랍니다.


http://www.etnews.com/201105230119

인텔 3D 반도체 기술, 국내 연구진 특허 먼저 확보

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이종호 서울대 교수가 특허를 보유한 `벌크 핀펫` 기술(왼쪽)과 인텔의 `트라이 게이트 모스펫` 기술(오른쪽)이 동일한 형태의 게이트를 구조를 갖고 있다. 가운데는 기존 2차원 구조. <이종호 서울대 교수가 특허를 보유한 `벌크 핀펫` 기술(왼쪽)과 인텔의 `트라이 게이트 모스펫` 기술(오른쪽)이 동일한 형태의 게이트를 구조를 갖고 있다. 가운데는 기존 2차원 구조. >

 인텔이 최근 세계 최초로 개발했다고 발표한 ‘3D 반도체 공정기술’을 국내 연구진이 앞서 개발한 것으로 밝혀졌다. 기술 확보 시기를 비교할 수 있는 미국 특허 출원 일시가 인텔에 비해 10일가량 앞서 있어 같은 기술이라고 판단되면 막대한 로열티 수입도 예상된다.

 23일 이종호 서울대 전기공학부 교수는 이달 들어 인텔이 발표한 3D 반도체 공정기술인 ‘트라이 게이트 모스펫(tri-gate MOSFET)’과 동일한 기술인 ‘벌크 핀펫(bulk FinFET)’에 대한 국내와 미국 특허를 보유하고 있다고 밝혔다.

 두 기술은 이름만 다를 뿐 3D 채널이 적용된 방식은 일치한다.

 인텔의 트라이게이트 기술은 한곳으로만 전류를 흘려보낼 수 있는 기존 2D 게이트 방식과 달리 3개 면으로 전류를 보낼 수 있도록 게이트를 서브 실리콘 위로 돌출시킨 3D 구조로 형성돼있다.

이 교수가 개발한 ‘벌크 핀펫’도 서브 실리콘에서 실리콘 옥사이드(SiO2)층을 거쳐 상층부까지 연결돼 있어 전류를 3개 면으로 보낼 수 있는 채널 3개가 형성된다.

 이 교수는 “우리가 보유한 특허 기술과 인텔이 현재까지 공개한 자료를 비교할 때 완벽하게 동일하다”며 “관련 기술에 대한 국내 특허는 물론이고 미국 특허를 앞서 보유하고 있으며 60여편에 달하는 논문을 발표하는 등 기술적으로 검증된 사실”이라고 말했다.

 벌크 핀펫 기술은 지난 2002년 1월 30일에 국내 특허를 출원했으며 이듬해인 2003년 8월께 등록된 것으로 확인됐다. 이어 미국에서는 지난 2003년 2월 4일에 출원, 2년 후인 2005년 4월 26일에 등록됐다. 이에 비해 인텔은 미국에서 이 교수가 출원한 시기보다 열흘 뒤인 2003년 2월 14일에 트라이 게이트 기술을 출원한 것으로 알려졌다.

 인텔이 발표한 3D 반도체 공정 기술은 반도체 채널 수가 늘어나 전류량이 증가하고 이에 따른 전류 누수도 2D 반도체에 비해 현저히 작아서 효율이 높아지는 장점이 있다. 또, 기존 방식에 비해 미세공정이 가능해져 칩 집적도도 높일 수 있다.

 인텔은 연내에 이 기술을 이용한 22나노 양산 공정에 적용, 모바일 칩 시장에 진출할 계획을 발표했다. 모바일 칩 수요가 계속 늘어나는 것을 감안할 때 이 교수의 특허 기술이 동일 기술로 인정을 받을 경우, 천문학적인 특허료를 확보하게 될 것으로 전망된다.

 벌크 핀펫 기술에 대한 미국 특허와 관련해서 발명자는 이 교수로 등록돼 있으며 특허권은 특허 마케팅 전문 에이전시인 PNIB가 보유하고 있다. 또, 이 기술과 관련된 다수의 응용 기술은 이 교수가 소속된 서울대도 함께 갖고 있다. 이 교수는 관련 기술을 출원하고 국내 기업에 공동 개발을 권유했으나 그 당시에는 상업성이 없다는 이유로 거절당한 것으로 알려졌다.

 이 교수는 “특허 출원을 누가 먼저했는지에 따라 특허권을 보호받을 수 있는데 확인 결과, 인텔보다 앞서 있어 특허권을 인정받는 데 별다른 문제는 없을 것으로 판단된다”며 “미국 특허권을 보호받기 위해 인텔을 상대로 PNIB와 함께 법적 대응에 나설 것이며 그 절차는 추후에 결정할 계획”이라고 말했다.
 

핀펫 기술에 관한 다른 기사는 아래를 참고 바랍니다.


http://k-ids.or.kr/home/kor/board/board.asp?b_code=5130&Action=content&GotoPage=14&B_CATE=BBS10

[이슈분석]핀펫(FinFET) 기술이 뭐길래

[이슈분석]핀펫(FinFET) 기술이 뭐길래

핀펫(FinFET)의 ‘핀’은 물고기의 등에 솟아나 있는 지느러미를 뜻한다. 기존 반도체 칩 구조는 평면(2D)구조로 이뤄져 있는데 이를 입체적(3D) 구조로 설계하면서 위로 돌출된 부분이 물고기 등지느러미를 닮았다 해서 이 같은 이름이 붙었다.

반도체는 크기가 작아질수록 속도가 향상하고 소비전력은 감소하면서 생산비용이 내려간다. 하지만 기존 평면구조의 반도체 설계로는 그 크기를 줄이는 데 물리적 한계가 있다. 통상 20나노가 평면구조로 비메모리 반도체를 설계 가능한 최소 크기로 꼽힌다.

이 같은 한계를 극복하기 위해 등장한 것이 바로 3차원 반도체 공정 기술 ‘핀펫’이다. 평면구조에서는 한 곳으로만 전류를 흘려보낼 수 있다. 반면 핀펫에서는 돌출된 상층부를 활용해 3개면으로 전류를 흘려보낼 수 있다. 크기는 작아지면서도 더 뛰어난 전류구동능력을 확보하고 전원이 꺼진 상태에서의 전류 누수도 현저히 줄어든다.

핀펫 기술 활용으로 비메모리 반도체는 현재 상용화가 진행 중인 14나노를 넘어 10나노와 7나노까지 공정과 소자 개발이 이뤄지고 있다.

3D 반도체 공정기술의 개념은 1984년 일본의 연구진에 의해 처음 연구됐으며 1998년 미국 UC버클리의 첸밍 후 교수 연구진이 논문에서 ‘핀펫’이라는 명칭을 붙였다. 이후 2011년 인텔이 22나노 공정에 핀펫 기술을 활용한다고 발표해 차세대 기술로 주목받기 시작했다.

당시 인텔은 관련 양산 기술 ‘트라이 게이트 모스펫’을 세계 최초로 개발했다고 발표했다. 하지만 얼마지나지 않아 이종호 서울대 교수가 인텔의 특허 출원일인 2003년 2월 14일보다 열흘 앞서 거의 동일한 내용의 ‘벌크 핀펫’ 기술을 미국 특허출원한 것이 밝혀져 화제가 됐다. 이 교수는 특허 출원당시 국내 기업에 공동개발을 제의했으나 상업성 부족 등의 이유로 거절당한 것으로 알려졌다.

이 교수는 “그 때 국내기업이 핀펫 기술을 받아들여 개발에 나섰다면 비메모리 반도체 분야를 선도하는 세계적 기술 강국이 될 수 있었을 텐데 그러지 못해 아쉽다”며 “앞으로 핀펫과 같은 신기술을 산·학·연이 보다 열린 마음으로 협력하는 분위기 형성이 필요하다”고 말했다.


http://www.etnews.com/20141103000043